신호 나비타스, 르네사스 상대 GaN 전력반도체 특허침해 소송 제기

요약

미국의 차세대 전력반도체 기업 나비타스 세미컨덕터가 일본 르네사스 일렉트로닉스를 상대로 특허침해 소송을 제기했다. 이 소송은 미국 텍사스 동부연방지방법원에 제기됐다. 소송이 제기된 날짜는 2026년 8월 11일이다. 나비타스는 르네사스의 주력 질화갈륨(GaN) 전력반도체 제품군인 'SuperGaN'이 자사가 보유한 GaN 핵심특허 4건을 무단으로 침해했다고 주장하고 있다. 이번 소송은 고효율 전력전자소자에 대한 수요가 커지는 가운데 GaN 전력반도체 시장에서 특허 경쟁이 갈수록 격화되고 있음을 보여준다. 두 회사는 GaN 전력반도체 분야에서 서로 경쟁 관계에 있는 업체다.