신호 삼성전자, FMS 2026서 차세대 V10 BV-NAND·zHBM 메모리 아키텍처 공개

요약

삼성전자 반도체 부문의 공식 발표에 따르면, 삼성전자가 2026년 8월 5일 미국 산타클라라에서 열린 'Future of Memory and Storage(FMS) 2026'에서 차세대 3D 메모리 비전을 공개했다. V10 BV-NAND는 새로운 웨이퍼 본딩 구조를 활용한 400층 이상 적층 시제품으로, V9 낸드 대비 비트밀도를 약 58% 향상시켰다. zHBM(제로갭 HBM)은 HBM을 프로세서 옆이 아니라 AI 가속기 바로 위에 수직 적층하는 새로운 아키텍처로, 데이터 이동 거리를 최소화해 대역폭·전력효율을 높인다. zHBM을 적용한 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 약 8배의 성능을 낼 것으로 예상되며, 삼성은 HBM4 대비 4배의 전송속도를 4분의 1 전력으로 달성한다고 주장했다. 삼성은 실시간·데이터집약적 처리가 필요한 엣지 AI 환경에 최적화된 차세대 고성능 낸드 솔루션 zNAND-O도 함께 선보였다. 세 기술 모두 AI 가속기가 데이터 도착을 기다리며 유휴 상태가 되는 공통의 병목 문제를 겨냥한다.