신호 0.42나노미터 트랜지스터 돌파구, 실리콘 한계 넘어설 가능성

요약

연구진이 트랜지스터의 미세화 한계를 넘어서기 위해 원자 단위 계면을 새롭게 설계했다고 보고했다. 이 계면은 전자의 흐름을 안정적으로 보호하면서도 그와 동시에 극도로 얇은 절연층을 허용하는 독특한 구조로 만들어졌다. 연구진은 이 계면 구조를 활용해 두께가 단 0.42나노미터에 불과함에도 강한 전기적 제어력을 유지하는 트랜지스터를 구현하는 데 성공했다. 이 결과는 근접한 미세화 한계에 부딪힌 기존 실리콘 기반 트랜지스터 구조를 넘어설 수 있는 잠재적 경로로 제시됐다. 계면 설계와 트랜지스터 성능에 관한 수치는 보고서에 구체적으로 제시됐다.